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2025 IEEE國際微波研討會

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    Admin
  • 12小时前
  • 讀畢需時 1 分鐘

吳添立教授受邀參與2025年IEEE國際微波研討會(IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS)所舉辦之專題工作坊 「GaN/Si:FR3應用的推進者?」GaN/Si: an Enabler for FR3 Applications?),該活動將於2025年6月16日美國舊金山舉行。

本工作坊由imecIncize共同主辦,集結來自國際產學界的頂尖專家,包括Intel、Infineon、Sony、Aixtron、IQE、GLOBALFOUNDRIES、TagoreTech英國布里斯托大學(University of Bristol)等機構。吳教授將與與會專家共同探討氮化鎵(GaN)於矽基板(Si)上之應用技術,特別聚焦於其在FR3頻段(7–24 GHz)中推動6G通訊發展的潛力。

研討主題涵蓋材料科學、晶圓代工製程觀點、元件縮放策略、可靠度挑戰,以及GaN-on-Si技術與現有通訊架構的整合應用,包括在電信基礎建設與終端裝置中的實際導入。同時,也將深入討論GaN-on-Si在全球市場的發展前景與競爭優勢



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