IRPS 2026：WLab 6 篇論文入選創新高，聚焦次世代元件可靠度機制

從 SiC 到 Power GaN，再到 RF GaN 與 Ferroelectric 元件可靠度，WLab 長期專注於可靠度研究。我們持續探索 創新的可靠度測試方法 與 背後的劣化/失效機制，目標是提出可行策略，改善次世代化合物半導體與新興記憶體元件的可靠度限制。

📣 好消息！

WLab 共 6 篇論文 獲 2026 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) 接受，主題橫跨：• SiC• Power GaN• RF GaN• Ferroelectric technologies

這不僅是 WLab 歷年在 IRPS 最多的一次接受數量，也首次在同一屆 IRPS 系統性呈現 SiC / GaN / 鐵電元件可靠度分析 的研究成果。

🔍 為什麼 IRPS 重要？

IRPS 是半導體可靠度與失效物理領域最具指標性的國際研討會之一，涵蓋從 材料、製程、元件到系統 的可靠度議題（CMOS、記憶體、SiC、GaN、RF、先進封裝等）。更關鍵的是，IRPS 強調 「物理機制導向」：不只看量測結果，更重視 劣化來源、失效路徑與可預測模型。許多產業可靠度標準與測試方法，也常在 IRPS 首先被提出與驗證。

我們將持續深耕可靠度物理，期待在 2026 IRPS 與國際社群分享新的理解與洞見。

以下論文將於 2026 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) 發表（共 6 篇）：

Ferroelectric / Compute-in-Memory

[1] H.-Y. Liu, W.-C. Peng, C.-Y. Lin, T.-L. Wu,“Investigation of Read-Speed Limitation and Switching Dynamics of Ferroelectric Capacitors for Capacitor-Mode Compute-in-Memory Applications,” IRPS 2026.

➡️ 聚焦 FeCAP 讀取速度瓶頸與切換動態，對 CIM 應用的影響。

Power GaN / Switching Reliability

[2] P.-J. Wang, C.-C. Lee, Z.-H. Huang, Y.-T. Lee, T.-L. Wu,“Gate Trapping-Induced Dynamic RON Degradation in p-GaN Power HEMTs under Continuous Hard Switching,” IRPS 2026.

➡️ 探討 hard switching 下 gate trapping 導致的 dynamic RON 劣化。

RF GaN / Gate Breakdown & MIS Reliability

[3] A. Navolotskaia, H. Yu, Y.-C. Kuo, Y. Yang, C.-Y. Huang, W.-T. Lin, Y. Chong, B. O'Sullivan, A. Rathi, A. Gupta, A. Alian, U. Peralagu, B. Parvais, N. Collaert, T.-L. Wu,“Understanding Gate Breakdown Mechanisms in RF GaN MISHEMTs with Thin Gate SiN,” IRPS 2026.

➡️ 解析 RF GaN MISHEMT 薄 SiN gate 的 gate breakdown 機制。

RF GaN-on-Si / Dynamic On-State Breakdown

[4] H. Yu, A. Gupta, Y.-C. Kuo, Y. Chong, T.-L. Wu, S. Yadav, R. ElKashlan, S. Banerjee, A. Rathi, W.-M. Wu, B. Kazemi Esfeh, E. Bury, B. Vermeersch, B. O’Sullivan, A. Alian, M. Asad, U. Peralagu, B. Parvais, N. Collaert,“Dynamic On-State Breakdown of GaN-on-Si HEMT,” IRPS 2026.

➡️ 聚焦 GaN-on-Si HEMT 動態導通崩潰的行為與可靠度風險。

SiC MOSFET / Charge Pumping & Gate Current Behavior

[5] W.-C. Lin, Y.-J. Chiu, S. Soo, G.-H. Liu, S. Elangovan, S.-S. Yeh, C.-L. Hung, Y.-K. Hsiao, H.-C. Kuo, T.-L. Wu,“Toward Understanding Non–Impact-Ionization-Induced Time-Dependent Gate Current Decrease in 4H-SiC MOSFETs via Charge Pumping,” IRPS 2026.

➡️ 以 charge pumping 解析 4H-SiC MOSFET gate current 隨時間下降。

GaN SBD / 650 V / p-GaN Edge Termination

[6] C.-Y. Chang, Y.-T. Tso, C.-W. Hsiung, Y.-C. Peng, T.-S. Huang, M.-J. Tsai, M.-C. Tsou, M.-N. Chuang, T.-L. Wu,“Enhancing VF and RON Stability in 650-V AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode with Anode p-GaN Edge Termination on GaN-on-Si Platform,” IRPS 2026.

➡️ 針對 650-V GaN SBD 以 anode p-GaN edge termination 強化 VF 與 RON 穩定性。