2026 IRPS

從 SiC 到 power GaN，再從 RF GaN 和 鐵電元件可靠度，WLab致力於可靠度研究，並持續探索創新的可靠度測試方法與其背後的劣化機制，目標是發展有效的策略，以克服並改善次世代化合物半導體與新興記憶體元件所面臨的可靠度限制。 WLab很榮幸共有 6 篇論文獲 2026 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) 接受，研究主題橫跨 SiC、power GaN、RF GaN 與 ferroelectric technologies。

這不僅是團隊在 IRPS 歷年來最多的一次接受數量，也首次在同一屆 IRPS 系統性呈現 SiC / GaN / 鐵電元件可靠度分析 的研究成果。 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)是全球半導體可靠度與失效物理領域中最具指標性、歷史最悠久的國際研討會之一。IRPS 長期聚焦於從 元件、製程、材料到系統層級的可靠度問題，涵蓋 CMOS、記憶體、SiC、GaN、RF 元件、先進封裝與新興材料。

與一般元件或電路研討會不同，IRPS 強調「物理機制導向」的可靠度理解，不只看量測結果，更重視劣化來源、失效路徑與可預測模型，因此深受學術界、晶圓廠、IDM 與系統公司高度重視。

許多產業可靠度標準、測試方法與壽命模型，都最早在 IRPS 被提出與驗證。對於 先進製程節點、寬能隙半導體（SiC / GaN）與新型記憶體（如 ferroelectric） 而言，IRPS 更是關鍵技術交流與方向定錨的重要平台。

我們將持續深耕可靠度物理，探索創新的量測方法與劣化機制，並期待在 2026 IRPS 與國際社群分享這些新的理解與洞見。

以下論文將於2026 IRPS發表:

[1]  H.-Y. Liu, W.-C. Peng, C.-Y. Lin, T.-L. Wu, "Investigation of Read-Speed Limitation and Switching Dynamics of Ferroelectric Capacitors for Capacitor-Mode Compute-in-Memory Applications," IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2026.

[2]  P.-J. Wang, C.-C. Lee, Z.-H. Huang, Y.-T. Lee, T.-L. Wu, "Gate Trapping-Induced Dynamic RON Degradation in p-GaN Power HEMTs under Continuous Hard Switching," IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2026.

[3]  A. Navolotskaia, H. Yu, Y.-C. Kuo, Y. Yang, C.-Y. Huang, W-.T. Lin, Y. Chong, B. O'Sullivan, A. Rathi, A. Gupta, A. Alian, U. Peralagu, B. Parvais, N. Collaert, T.-L. Wu, "Understanding Gate Breakdown Mechanisms in RF GaN MISHEMTs with thin gate SiN," IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2026.

[4]  H. Yu , A. Gupta, Y.-C. Kuo,  Y. Chong, T.-L. Wu, S. Yadav, R. ElKashlan, S. Banerjee, A. Rathi, W.-M. Wu, B. Kazemi Esfeh, E. Bury, B. Vermeersch, B. O’Sullivan, A. Alian, M. Asad, U. Peralagu, B. Parvais, and N. Collaer, "Dynamic On-State Breakdown of GaN-on-Si HEMT," IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2026.

[5] W.-C. Lin, Y.-J. Chiu, S. Soo, G.-H. Liu, S. Elangovan, S.-S. Yeh, C.-L. Hung, Y.-K. Hsiao, H.-C. Kuo, T.-L. Wu, "Toward Understanding Non–Impact-Ionization-Induced Time-Dependent Gate Current Decrease in 4H-SiC MOSFETs via Charge Pumping," IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2026.

[6] C.-Y. Chang, Y.-T. Tso, C.-W. Hsiung, Y.-C. Peng, T.-S. Huang, M.-J. Tsai, M.-C. Tsou, M.-N. Chuang and T.-L. Wu, "Enhancing VF and RON Stability in 650-V AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode with Anode p-GaN Edge Termination on GaN-on-Si Platform," IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2026.