WLab
Advance Semiconductor Technologies
toward Reliability
Open course: Next-generation power conversion technologies: GaN and SiC power semiconductors
開放課程: 下世代能源轉換技術-氮化鎵及碳化矽功率半導體技術
Semiconductor Physics and Devices (I)
半導體物理及元件(一)
2023 Spring (112學年第2學期) Lecture Videos
2022 Spring (111學年第2學期) Lecture Videos
2018 Spring (107學年第2學期)
2017 Spring (106學年第2學期)
Reliability and Failure Physics of Semiconductor Devices
半導體元件可靠度評估及其失效物理
2023 Fall (112學年第1學期) Lecture Videos
2022 Fall (111學年第1學期) Lecture Videos
2019 Fall (108學年第1學期)
2018 Fall (107學年第1學期)
2017 Fall (106學年第1學期)
Power semiconductor devices: Device design, Characteristics, and Reliability
功率半導體:元件設計、物理特性及可靠度
*Note: This course will be lectured biannually (Next term: 2022 Spring)
2017 Spring (106學年第2學期)
2016 Spring (105學年 第2 學期)
Short Course :
2023 Summer 氮化鎵/碳化矽化合物半導體技術 GaN/SiC compound semiconductor (科管局補助)
2022 Summer 高功率高頻氮化鎵半導體 High power/High frequency GaN technologies(科管局補助)
2021 Summer 寬能隙功率半導體元件技術 Wide bandgap power devices technologies (科管局補助)
2020 Summer 寬能隙 GaN 功率元件 Wide bandgap GaN power devices (科管局補助)
2019 Summer GaN功率元件 GaN power device (科管局補助)
從手機、電腦到電動汽車及太陽能板，電力電子設備無處不在。電力電子內部的關鍵就是功率半導體元件，主宰能量轉換的效率及操作速度。傳統矽 (Silicon) 為主的功率半導體受限於材料特性限制，在能源轉換效率及操作頻率上有極大的瓶頸。近年來，氮化鎵 (GaN) 及碳化矽 (SiC) 半導體材料受到極大的注目。
因其優異的材料特性，將可以大幅提升能源轉化效率及操作頻率，因此逐漸廣泛應用於快速充電及電動車等應用中。本課程將介紹氮化鎵及碳化矽半導體材料特性，並簡介氮化鎵及碳化矽功率元件結構及操作原理。