吳添立教授受邀於2024/07/05(五) D Forum 2024 電源論壇-高效電源轉換設計中分享專題
"AI 2.0時代，寬能隙功率半導體如何把守能源效率關卡"。 當天議程壓軸上場的陽明交通大學電子研究所副教授吳添立也指出，AI伺服器所需的電源其主要挑戰為高瓦數及散熱的議題，同時綜合使用GaN與SiC的伺服器電源將有助於達到高瓦數、高效率及節省空間的優勢。目前的趨勢是利用SiC/GaN的混合型 AI 伺服器電源。他引述業界相關資料，英飛凌已有利用SiC/GaN混合設計的8,000W AI伺服器電源，而Navitas也推出利用SiC/GaN混合設計的4,500W AI伺服器電源，未來在2024年底將會有10,000W AI伺服器電源問世。另外一方面，若同時使用SiC/GaN加上液冷散熱，將會有助於大幅增加電源效率及降低power loss，會是最佳的AI伺服器電源方案。
此外隨著技術發展，GaN所需要的High side與Low side端的驅動IC與GaN開關元件可以加以整合，如此可以大幅減少其不必要的寄生效應。加上GaN的耐受電壓不斷提升，就吳添立觀察，GaN將有機會與SiC在高電壓工作範圍一較長短，在電動車領域有更多的發揮。目前在陽明交大吳添立教授的實驗室，已經能將GaN的耐受電壓提升至2,000V的程度。而大尺寸的GaN（12吋/8吋）及SiC（8吋）的發展，對GaN/SiC產業來說亦是相當鼓舞的消息。
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